压敏电阻采购,就选源林电子,厂家直销
ZnO压敏电阻陶瓷的性能是压敏陶瓷中较为优异的一种。近年来,由于电子设备向小型化、多功能化发展,集成电路的集成速度和密度不断提高,为了使电子线路免遭浪涌电压的破坏,在低压领域内对压敏电阻器的应用也提出了越来越高的要求,因此ZnO的低压化成为研究的热点。为了寻求一个相对合适的ZnO压敏陶瓷的低压化配方,并且将所学专业理论知识与实际相结合,经文献查阅,我们设计了添加剂的量依次适当增加的四组平行实验来进行研究。本文首先简析了ZnO压敏陶瓷材料的概念、结构、研究现状及压敏电阻的性能参数,并详细解释了其导电机理。同时对制备ZnO压敏陶瓷的基本工艺流程做了初步的了解,通过热分析的实验和老师的指导得出,烧结温度分别为1160℃、1180℃,1200℃三个温度下保温2h的烧结条件。
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晶粒边界到晶粒的电位陡降发生在≈50 ̄100nm 的距离内,称为耗尽层。这样, 在每个晶粒边界处都存在晶粒边界向两侧延展入相邻晶粒 的耗尽层。晶粒间存在耗尽层提高了压敏电阻的作用。 晶粒边界两侧两个耗尽层的存在,使得 ZnO 压敏电 阻对极性变化不敏感。在这一方面,压敏电阻像一个背对 背的二极管。进一步说,由于晶粒边界附近区域的电子被 耗尽,当施加外电压时,跨在晶粒边界上出现一电压降。 这被称作势垒电势,一般是≈2 ̄4V/(每晶粒边界)。
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