压敏电阻采购,就选源林电子,更专业
低压ZnO压敏电阻的特性与晶界的结构状态有密切关系,关于压敏电阻的显微结构,人们也以Bi系ZnO压敏电阻为基础,建立了不同的模型进行研究,如微电阻模型,即将压敏电阻等效为包含在多晶材料中的分立的晶界,还有运用薄膜技术制造的单结等来模拟ZnO
压敏陶瓷的显微结构材料中主要的相是半导化的ZnO晶粒,许多ZnO晶粒直接接触,晶粒间没有其它相,形成了双ZnO-ZnO晶界(同质结)。由于Bi等大尺寸离子在晶界偏析,改变了晶界的结构,电流通过这些晶界,这些晶界称为电活性晶界,电活性晶界是决定压敏电阻性质的关键。在三个晶粒的交界处,有时在两个晶粒(可能有特殊取向)之间,存在粒间相,粒间相在导电过程*多是电学非活性的。该相主要包括各种添加物形成的化合物。陶瓷材料中的所有成分都可以溶解在粒间相中,在烧结过程中,晶粒交界处可能形成尖晶石晶体,但是它们不参与导电过程。氧化物的改性添加可以改变晶粒电导或晶界的结构及化学状态,尤其是偏析于晶
界的杂质对晶界活性有很大的影响,因而适当的掺杂选择对形成和改善非线性起着很重要的作用,而且晶界势垒是ZnO压敏陶瓷烧结时在高温冷却过程中形成的,烧结工艺直接影响杂质缺陷在晶界中的分布,从而影响晶界化学结构。另外,低压ZnO压敏电阻的晶粒尺寸要足够大,单位厚度的晶界数少,因此低压压敏电阻对显微结构的波动尤其敏感,工艺对低压压敏电阻压敏特性的作用也不可忽视。
源林电子压敏电阻免费取样,一个电话搞定!
压敏电阻采购,就选源林电子,自有工厂
老化失效,这是指电阻体的低阻线性化逐步加剧,漏电流恶性增加且集中流入薄弱点,薄弱点材料融化,形成1k?左右的短路孔后,电源继续推动一个较大的电流灌入短路点,形成高热而起火。这种事故通常可以通过一个与压敏电阻串联的热熔接点来避免。热熔接点应与电阻体有良好的热耦合,当冲击电流流过时不会断开,但当温度**过电阻体上限工作温度时即断开。研究结果表明, 若压敏电阻存在着制造缺陷,易发生早期失效, 强度不大的电冲击的多次作用,也会加速老化过程,使老化失效提早出现。
由于压敏电阻型号太多,每个客户的个性化需求不一,想了解更多温度传感器的信息,请拨打图片中的咨询电话与我们源林电子联系,谢谢!